介質(zhì)損耗因素tg、相對電容率ε測試系統(tǒng)
介質(zhì)損耗因素tg、相對電容率ε測試系統(tǒng)一、技術(shù)要求
1.概述
工頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測試系統(tǒng)滿足標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在50Hz、100Hz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)。
測試系統(tǒng)由西林電橋、標(biāo)準(zhǔn)電容器、固體絕緣材料測試電極、高壓電源等構(gòu)成。
2、主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1、 西林電橋
（1）適用范圍：主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tgd)和電容量( Cx)以，其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、電位跟蹤器組成，本電橋特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數(shù)（ε）。
（2）技術(shù)指標(biāo)
a、測量范圍及誤差本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）時：
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF--20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介損損耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）時：
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介損損耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
b、電容量及介損顯示精度：
電容量： ±0.5%；
介 損： ±1.5％tgdx±1×10-4；
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