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絕緣材料高電壓耐擊穿性能試驗儀

點擊次數(shù):2127  更新時間:2017-04-14

絕緣材料高電壓耐擊穿性能試驗儀-擊穿的原理

擊穿是電介質(zhì)的基本性能之一,標(biāo)志著它在電場作用下保持絕緣性能的極限能力,是決定電力設(shè)備、電子元器件zui終使用壽命的重要因素。介質(zhì)擊穿電壓的大小與材料的組成、厚度、環(huán)境條件及電極形狀、布置等有關(guān)。均勻電場下,單位厚度電介質(zhì)的擊穿電壓(MV/m)稱為電介質(zhì)擊穿場強,又稱介電強度。一些常用電介質(zhì)在室溫下的介電強度如表所示。當(dāng)電介質(zhì)中含有水分、氣泡及細微雜質(zhì)時,常使擊穿場強降低。

 

加在電介質(zhì)上的電場強度超過某一臨界值時,電介質(zhì)的絕緣性能*喪失的現(xiàn)象。介質(zhì)擊穿時,通過介質(zhì)的電流集中于細小的通道流過。固體電介質(zhì)擊穿時,擊穿通道的高密度電流常使材料發(fā)生不可逆的破壞。氣體電介質(zhì)擊穿和液體電介質(zhì)擊穿時,往往出現(xiàn)電火花,甚至電弧,但外電壓去除后,絕緣性仍可恢復(fù)。

 

絕緣材料高電壓耐擊穿性能試驗儀體積效應(yīng)-

電介質(zhì)的擊穿電壓隨其體積增大而下降的現(xiàn)象。電介質(zhì)的擊穿電壓受電介質(zhì)中的缺陷、雜質(zhì)等因素的影響而變動。例如對具有較大量液體電介質(zhì)的電極-電介質(zhì)系統(tǒng),雜質(zhì)分布于整個體積,隨著高場強下的液體電介質(zhì)體積的增加,雜質(zhì)影響擊穿電壓的概率增大,擊穿電壓下降。又如,對高聚物固體電介質(zhì),缺陷分布于整個體積,當(dāng)電介質(zhì)體積增大時,缺陷影響電介質(zhì)擊穿的概率也增加,擊穿電壓下降。

對具有體積效應(yīng)的電介質(zhì),可看作是許多體積較小電介質(zhì)的組合,擊穿電壓的概率分布遵循貢貝爾分布或韋布爾分布。

 

 

絕緣材料高電壓耐擊穿性能試驗儀定義

加在電介質(zhì)上的電場強度超過某一臨界值時,電介質(zhì)的絕緣性能*喪失的現(xiàn)象。介質(zhì)擊穿時,通過介質(zhì)的電流集中于細小的通道流過。固體電介質(zhì)擊穿時,擊穿通道的高密度電流常使材料發(fā)生不可逆的破壞。氣體電介質(zhì)擊穿和液體電介質(zhì)擊穿時,往往出現(xiàn)電火花,甚至電弧,但外電壓去除后,絕緣性仍可恢復(fù)。

 

 

整機組成:

1、升壓部件:由調(diào)壓器和高壓變壓器組成050KV的升壓部分。

2、動部件:由步進電機均勻調(diào)節(jié)調(diào)壓器使加給高壓變壓器的電壓變化。

3、檢測部件:由集成電路組成的測量電路。通過信號線把檢測的模擬信號和開關(guān)信號傳給計算機。

4、計算機軟件:通過智能電路把由檢測設(shè)備采集的測控信號傳給計算機。計算機根據(jù)采集的信息控制設(shè)備運行并處理試驗結(jié)果。

5、試驗電極:根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)(1408.1-2006)隨設(shè)備提供三個電極,具體規(guī)格為:Ф25mm×25mm兩個;Ф75mm×25mm一個。

 

 

技術(shù)指標(biāo)

01、輸入電壓: 交流 220 V

02、輸出電壓: 交流 0--50 KV ;

               直流 0—50 KV

 

 

交直流試驗的切換

1)本儀器高壓輸出為交流電壓。直流的獲得方式為在原回路中串入高壓硅堆,使測試回路為脈動的直流電壓。實現(xiàn)的過程為,硅堆已經(jīng)在高壓變壓器的高壓絕緣塔中,平時用一個短路桿把高壓硅堆短接。需要直流試驗時,取出短路桿,使高壓硅堆接入測試電路中,這時回路的電壓為脈動的直流電壓。

2)前面板直流交流選擇按鈕。該按鈕的狀態(tài)不能改變設(shè)備輸出的電壓性質(zhì)。按下該按鈕,設(shè)備僅僅是把直流報警電路接入。指示用戶,當(dāng)打開箱門時,您需要對高壓均壓球放電。轉(zhuǎn)動放電桿,使放電桿的端部銅球接觸高壓均壓球。建議用戶每次放電銅球接觸高壓均壓球時間大于五秒。

3)試驗的交直流電壓切換,主要取決于高壓絕緣塔中的短路桿是否取出。當(dāng)取出短路桿時,高壓均壓球上的電壓為直流電壓,插入短路桿時,高壓均壓球上的電壓為交流電壓。短路桿的取出、插入?yún)⒖醋髠?cè)的示意圖。

4)在直流試驗時,計算機也要選擇直流狀態(tài),否則測的結(jié)果是不正確的。簡單的說,交流電壓與直流電壓有倍的關(guān)系。

 

 

標(biāo)簽:

電壓擊穿試驗儀  、

絕緣材料高電壓擊穿強度試驗儀、

耐電壓強度擊穿試驗儀 、

介電強度介電擊穿場強試驗儀

聯(lián)系人:陳丹
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