介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測儀
型 號GDAT-A
更新時間2023-08-09
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報價
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測儀技術(shù)參數(shù):
信號源頻率范圍: DDS數(shù)字合成 10KHz-70MHz
Q測量范圍: 1-1000自動/手動量程
信號源頻率覆蓋比: 6000:1
Q分辨率: 4位有效數(shù),分辨率0.1
信號源頻率精度: 3×10-5 ±1個字,6位有效數(shù)
Q測量工作誤差: <5%
電感測量范圍: 15nH-8.4H,4位有效數(shù),分辨率0.1nH
調(diào)諧電容: 主電容30-500PF
電感測量誤差: <5%
調(diào)諧電容誤差和分辨率:±1.5P或<1%
標(biāo)準(zhǔn)測量頻點: 全波段任意頻率下均可測試
Q合格預(yù)置范圍: 5-1000聲光提示
諧振點搜索: 自動掃描
Q量程切換: 自動/手動
諧振指針: LCD顯示
LCD顯示參數(shù): F,L,C,Q,波段等
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)檢測儀
介電常數(shù)測試儀GDAT高頻Q表
| 平板電容極片 | Φ50mm/Φ38mm可選 | 頻率范圍 | 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz |
| 間距可調(diào)范圍 | ≥15mm | 頻率指示誤差 | 3×10-5±1個字 |
| 夾具插頭間距 | 25mm±0.01mm | 主電容調(diào)節(jié)范圍 | 30-500/18-220pF |
| 測微桿分辨率 | 0.001mm | 主調(diào)電容誤差 | <1%或1pF |
| 夾具損耗角正切值 | ≦4×10-4 (1MHz) | Q測試范圍 | 2～1023 |
介電常數(shù)測試儀附表二,LKI-1電感組典型測試數(shù)據(jù)
| 線圈號 | 測試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
| 9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
| 8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
| 7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
| 6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
| 5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
| 4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
| 3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
| 2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
| 1 | 25MHz 50MHz | 233 211 | 0.9 | 0.125μH |
介電常數(shù)介質(zhì)損耗(介質(zhì)損耗角)測試儀
型號:GDAT-C
介電常數(shù)測試儀主要特點:
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
介電常數(shù)測試儀主要技術(shù)特性:
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zei低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
介質(zhì)損耗測試裝置
介質(zhì)損耗測試裝置與精密數(shù)字電橋配用,能對薄膜和各種板材絕緣材料進(jìn)行高低頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006, GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用電橋作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)是通過被測樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的D值(損耗因素)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過公式計算得到。
