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薄膜工頻介電常數(shù)測(cè)試儀北京供應(yīng)商

型 號(hào)GDAT-A

更新時(shí)間2023-08-07

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述:1.平板電容器
極片尺寸:φ25.4mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm
2.園筒電容器
電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF
長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm
3. 夾具插頭間距:25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時(shí))

產(chǎn)品概述

介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置,標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行

高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(Dtanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及

IEC60250規(guī)范要求。

      GDAT 系列介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz1MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介

電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (Dtanδ)變化的測(cè)試。

  GDAT系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用高頻阻抗分析

儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D(損耗

)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

1 特點(diǎn):


 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF6D值顯示,保證了εD值精度和重復(fù)性。

 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1105

 

 

 

2 主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 εD性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz1MHzεD變化的測(cè)試。
2.1.2 εD測(cè)量范圍:ε1105,D0.10.00005,
2.1.3 εD測(cè)量精度(10kHz):ε±2% ,  D±5%±0.0001

 

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

型號(hào)

GDAT-S

工作頻率范圍

20Hz1MHz

數(shù)字合成,精度:±0.02%

電容測(cè)量范圍

0.00001pF9.99999F

六位數(shù)顯

電容測(cè)量基本誤差

±0.05%

損耗因素D值范圍

0.000019.99999

六位數(shù)顯

 

 

 

 

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):

    在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃, 氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚12mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

 

 

GDAT系列 介電常數(shù)測(cè)試儀配置

配置類型

標(biāo)準(zhǔn)型

電橋工作頻率范圍

20Hz1MHz

精度:±0.02%

配置型號(hào)

高頻阻抗分析儀

三電極測(cè)試裝置

介電常數(shù)范圍

1-100

精度:±2%

損耗因素D值范圍

0.000019.99999

六位數(shù)顯

 

 

 

 

選購(gòu)件:

    在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)

樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃, 氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚

12mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

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